应用说明
电子叠层衍射成像用于二维材料原子级缺陷分析
April 1, 2026
半导体材料和器件
深入了解半导体材料和器件的原子级信息，以解决复杂结构、优化器件性能并推动微电子领域的创新。
推动电子学和纳米技术的创新
半导体是现代电子学的基础，为从集成电路到先进传感器的所有设备提供动力。了解其组成、界面和缺陷机制的纳米尺度细节对于提高设备效率、可靠性和小型化至关重要。Gatan 提供尖端的电子显微镜解决方案，以无与伦比的精度揭示这些细节。
为什么电子显微术对半导体研究至关重要
设备性能取决于半导体层、掺杂剂分布和界面结构之间的复杂交互作用。我们的解决方案帮助您：
- 可视化半导体层中的显微结构和物相分布。
- 分析元素组成和掺杂剂分布以优化性能。
- 检测位错、空洞和污染等缺陷和失效机制。
- 将电学性能与纳米级形态相关联以进行预测性设计。
加速您的研究的技术
先进的显微术和分析技术能够精确表征半导体材料和器件，揭示驱动性能、效率和长期可靠性的关键结构-性质关系。
阴极荧光（CL）
通过揭示晶体缺陷、电子结构和微量元素化学，为材料提供独特的纳米级光学洞察
电子背散射衍射（EBSD）
通过映射晶体取向、物相和晶界进行详细的显微结构分析
电子能量损失谱（EELS）
提供原子尺度的元素组成和化学键合洞察——助力深入理解材料特性。
能量色散x射线谱（EDS/EDX）
通过检测样品发射的特征x射线，快速可靠地进行元素分析，使研究人员能够识别和定量元素。
eaSI 谱成像
集成 EELS、EDS、4D STEM 等技术，提供丰富的相关洞察，推进对复杂动态纳米级现象的理解
成像
提供对生物和无机样品的高分辨率可视化，支持研究超微结构、材料生长和失效机制。
原位
捕捉受控刺激下的实时纳米级动态，以揭示基本机制并加速科学发现。
集成式扫描电子显微镜
将能量色散x射线谱（EDS）、电子背散射衍射（EBSD）、阴极荧光（CL）、背散射电子（BSE）和波长色散谱学（WDS）集成到统一平台中——为复杂材料提供全面的高分辨率洞察。
微束x射线荧光（micro-XRF）
提供高分辨率、非破坏性的元素分析——非常适合分层、敏感或不规则样品。
波长色散x射线谱学（WDS）
提供高光谱分辨率和灵敏度，能够精确识别和定量复杂样品中的微量和轻元素。
实现推动创新的成果
通过Gatan释放电子显微镜的力量——探索尖端应用并通过详细的应用说明发现推动科学突破的洞察。
应用说明
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应用说明
使用大面积无窗EDS探测器在轻元素检测方面的突破
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网络研讨会
使用直接探测相机进行剂量分割的 EELS 谱成像采集
May 8, 2025
媒体库
沉浸在科学发现的世界中——探索揭示未知的显微镜图像，以及展示 Gatan 技术实际应用的网络研讨会和教程。