能量过滤 4D STEM 揭示半导体中的短程有序结构
使用的 Gatan 设备
GIF Continuum® K3®, STEMx®, eaSI™ 技术
背景
现代半导体通常会掺入少量的混合元素来微调其电子特性。然而，对这些混合元素的原子排列方式，业界仍然知之甚少；另一方面，模型表明这种排列方式会显著影响诸如带隙等关键特性。电子衍射能够轻易地揭示晶体的长程有序性，但稀散原子的局部分布则以强晶体峰之间微弱的弹性漫散射形式编码在散射花样中。不幸的是，非弹性散射事件（例如等离子体激元激发）也出现在散射分布的同一区域，并且其强度远大于弹性漫散射信号，从而明显地将其掩盖。使用能量过滤器可以去除非弹性散射，从而能够精确测量弹性漫散射（图 1）。