通过能量过滤和旋进辅助的 4D STEM 改进 Ge/SiGe 异质结构缺陷应变面分布 

所用仪器

STEMx^® Precession, STEMx 系统, GIF Continuum^® K3^®, eaSI™ 技术, DigitalMicrograph^® 软件

相关背景

4D STEM 是在纳米尺度上分析应变分布的绝佳工具。其原理在于，DigitalMicrograph 和其他开源软件包使用的应变面分布算法通过峰值寻找来测量衍射点位置的微小偏 移，并计算由此产生的应变。当 4D STEM 数据集中的衍射花样具有较高的信噪比 （SNR）且衍射峰易于算法准确找到时，面分布结果最好。一些常见的效应，比如动 力学衍射和非弹性散射背景，会对数据质量产生负面影响，从而使应变面分布结果变 差。不过，这些效应可以通过能量过滤和旋进辅助的 4D STEM 来最小化。本实验简 报将会对此进行讨论。