取向分布
分析材料的晶粒结构对于了解其强度、电子和离子电导率等特性至关重要。在电子显微镜中，有两种主要方法可以通过材料中单个晶粒的取向分布来研究晶粒结构：标定菊池衍射图或标定电子衍射图中的衍射点。
EBSD中使用的菊池衍射花样标定（左）和TEM衍射和 4D STEM应用中使用的衍射斑标定（右）示例。
选择最佳衍射标定方法取决于样品厚度和所需的分析。例如，衍射花样标定用于扫描电子显微镜（SEM）中的电子背散射衍射（EBSD）分析，其使用较大尺寸的样品，并且必须分析较大的（几微米或更大的）面积。而更高分辨率的分析（~1 nm分辨率或更小）需要使用透射电子显微镜（TEM），其中样品必须足够薄才能成为电子透明，这使得单个衍射斑的标定方法更合适。
通过获取4D STEM数据集并为每个像素位置标定衍射斑，可以生成TEM中的取向图。带有STEMx® 软件包的Gatan相机可以快速获取高质量的4D STEM数据。然后，使用DigitalMicrograph中的STEMx OIM功能通过自动模板匹配的方法来标定花样并生成取向分布图。唯一需要的其他信息是STEMx OIM需要物相的晶体学结构（CIF文件格式）用于模拟和标定衍射斑。借助DigitalMicrograph® 中的eaSI™技术，STEMx OIM生成的取向图数据可以导入EDAX® OIM Analysis™ 进行后续的处理和分析，或与EELS、EDS和其他4D STEM分析数据关联。
DigitalMicrograph中 金薄膜的4D STEM数据集，其中包含从STEMx OIM生成的花样标定和取向分布结果。样品由GA Tech的J. Kacher提供。