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提高EDS定量结果准确性的方法:eZAF MACC数据库和修正规避

引言

EDAX Insight杂志2021年9月刊中展示的Al/Si二元样品示例,结果显示其相对误差在20%以内(Si浓度<30%)。使用基于SCC的经验数据库可以改善特定应用在有限浓度范围内的结果准确性,但如果样品成分超出了指定的浓度范围,会导致偏差扩大。SCC因子用于调整单个元素在不同激发能量下的X-射线的产生情况,其使用仅限于处理非线性效应,为此,引入了第二个eZAF专用数据库,它是二维的,关注了元素之间的依赖关系,即吸收的影响。

结果与讨论

How is the absorption modeled with eZAF? There are, in principle, two ways of considering the generation and 在eZAF中的吸收模型是什么样的?原则上有两种考虑产生和吸收的方法:经典的ZAF法和已有二十多年的 ϕ(ρz)\phi(\rho z):

 

ZAF法:

 

GenerationciE0EciQ(E)dEdρzdER\textit{Generation} \propto c_{i} \int_{E_{0}}^{E_{c_{i}}} \frac{Q(E)}{\frac{dE}{d\rho z}} \, dE \cdot R

 

Absorption=0ϕ(σz)e(μ/ρ)/sinψdρz0ϕ(σz)dρz\textit{Absorption} = \frac{ \int_{0}^{\infty} \phi(\sigma z)\, e^{-(\mu/\rho)/\sin\psi}\, d\rho z }{ \int_{0}^{\infty} \phi(\sigma z)\, d\rho z } 

 

公式1和2.

产生(Generation)方程计算了电子壳层的激发状态,计算了从入射电子 E0E_0 直到达到壳层临界激发能量 ECEC 所有电子能量的积分,考虑了能量依赖的截面 Q(E)Q(E) 和电子进入样品深度的能量损失。它是一个完整的深度分布,考虑到X-射线的吸收随深度的不同而不同,还考虑了背散射的损耗R。该方程计算了电子产生的总的X-射线量,吸收在ZAF模型中被分离为一个另外的方程。考虑到吸收路径和质量吸收系数(MACs),产生的X-射线在进入样品的深度上的形成了一个“按深度分布” μ/ρ\mu/\rho的积分。总的吸收随后归一到没有吸收效应的相同积分中。相对吸收,即总的产生的X-射线的比例,用这种方法计算出来,其商与产生方程是相同的。吸收过程明显是非线性的。经典的ZAF方法则需要一个可以积分解析的 ϕ(ρz)\phi(\rho z) 方程。

 

ϕ(ρz)\phi(\rho z)法:

 

Xrays=GenerationAbsorption=0Φ(σz)e(μ/ρ)/sinψdρz\textit{Xrays} = \textit{Generation} \cdot \textit{Absorption} = \int_{0}^{\infty} \Phi(\sigma z)\, e^{-(\mu/\rho)/\sin\psi}\, d\rho z 

 

公式3.

新的 ϕ(ρz)\phi(\rho z)方法最初是基于测量深度分布的能力而开发的,通过蒙特卡罗计算对曲线进行了改进和扩展。曲线是数值积分的,不再有要求或限制。但在理论上,ZAF-方法可以用方程的数值积分来求解。因此,深度分布模型是比较ZAF-模型和 ϕ(ρz)\phi(\rho z)-模型的唯一区别因素,而不是表达类型的差别。

The blue curve is the eZAF model using depth distribution, which is based on Love/Scott [1] with modification for tilted specimens [6]. It was based on the Monte Carlo (MC) method calculations. The gray line is a comparison of a typical measurement or MC-calculated Φ(ρz).

Figure 1. The blue curve is the eZAF model using depth distribution, which is based on Love/Scott [1] with modification for tilted specimens [6]. It was based on the Monte Carlo (MC) method calculations. The gray line is a comparison of a typical measurement or MC-calculated Φ(ρz).

与ZAF相比,ϕ(ρz)\phi(\rho z)方法没有根本上的优势。而且,根据Heinrich的说法,ZAF更适合将不同的效果分开加以改进,得到一个优化的组合,获得最佳的全修正模型[2]。

 

ϕ(ρz)\phi(\rho z) 的基础是使用特定的MAC数据库测量深度分布。因此,ϕ(ρz)\phi(\rho z) 包含了一个测量的对照组数据库,这并不是一种基于无标样方法的首要方法。

 

一些调查也表明,不同的深度分布模型,包括第三方的Love/Scott模型,确实产生了可相比较的结果。

 

影响最大的参数是MACs,即模型方程中的 μ/ρ\mu/\rho-值,其与X-射线能量和穿透材料的原子序数有关。因此,定量计算确实为ID-列表中的每个元素使用了一个数值,即为所有的元素-材料选择的谱线能量。计算中使用由成分计算出来的平均 μ/ρ\mu/\rho。计算数据库需要所有可能元素的alpha线,K-、L-和M-的辐射、在进入任何潜在元素中可能的吸收。所需的数据量大约为3 x 100 x 100。

The used MAC values for an eZAF Quant evaluation with seven elements that are assumed in the specimen.

Figure 2. The used MAC values for an eZAF Quant evaluation with seven elements that are assumed in the specimen.

其思路是在吸收模型中应用一个MAC使用级别的二维数据库,根据经验调整A校正。在元素相互依赖的吸收效应很大的元素组合中,这是很有用的。

 

Net-counts=X-ray Generation×SCC×Absorption(MACC)×Fluorescence×Efficiency(E)×ECF\text{Net-counts} = \text{X-ray Generation} \times \text{SCC} \times \text{Absorption}\,(\text{MACC}) \times \text{Fluorescence} \times \text{Efficiency}\,(E) \times \text{ECF}

 

它被应用于eZAF模型中,其中MACs被用在指数函数中,被称为质量吸收系数修正(MACC)。在所有可能的吸收元素中,元素谱线能量的吸收都是可以调整的。只有当样本中特定的元素和吸收群确实存在时,才会对定量评估产生调节和影响。这并不影响其它所有的评估情况,例如,对Al中Si的纯元素Si的定量评估不受MACC的影响,仅因为样品中纯Si里其实没有Al。

 

因此,我们遵循了Heinrich的建议,使用SCC对独立的产生数据库进行了改进,并具有分立的MACC吸收改进能力。

 

图3a的结果是通过对使用MACC数据库修改的MAC优化的eZAF吸收校正后得到的。改进结果是最大偏差值相对于整个成分区域仅有约8% (图3a)。原始结果在未使用数据库的情况下,最大相对偏差约为20%,并仅在一个有限的成分区域内,SCC因子才有可能改善到10%左右(对于“用户定义的无标样法”)。而在调整后的/特定的成分范围之外是没有优势的;其结果是偏出了相对30%。

a) Calculated concentration results by eZAF for a binary Al/Si example specimen (blue Al; red Si) over the Si nominal concentration, all in % units, an adapted MACC database was used for Si-K X-rays in Al. The broad light-red line is the Si net-count raw data curve, arbitrary units, not yet ZAF corrected. b) The same result, but in addition to the MACC, the SCC was adapted for a 50%/50% sample.

Figure 3. a) Calculated concentration results by eZAF for a binary Al/Si example specimen (blue Al; red Si) over the Si nominal concentration, all in % units, an adapted MACC database was used for Si-K x-rays in Al. The broad light-red line is the Si net-count raw data curve, arbitrary units, not yet ZAF corrected. b) The same result, but in addition to the MACC, the SCC was adapted for a 50%/50% sample.

因此,MACC的量值是对于二元样本在整个成分范围测量的一个巨大的改进。

 

我们也可以利用50%/50%的谱调整SCC,如图3b。曲线仅会因一个因子而发生可见的偏移,原则上,曲线的形状不会进一步弯曲。同时,这种SCC的应用不能改善所有的结果偏差。

 

MACC数据库不是专用于由软件操作员进行的变更访问,是对eZAF模型非线性部分的调整。如果没有适当的调整,它会对有其它元素组成的整体分析性能产生持久的影响。因此需要一个熟练并有经验的人来编辑数据库中的值,以便在未来逐步提高精度。

 

eZAF定量精度问题的核心是X-射线的激发和非线性元素间的基体效应。在使用理论/模型时,必须考虑这些因素(并且依赖于对其它元素的假设,重量百分比)。

  • SCC数据库处理X-射线的生成。
  • 除此之外,MACC数据库解决了非线性元素间效应,很好地剥离了激发。

 

SCC和MACC数据库对调整模型和为获得更好结果的处理过程很有帮助。这改进了经验结果的校正模型,但不能降低大的校正需求。

 

另一个策略是简单地防止大幅度的校正。原始测量数据进行较小修正,会降低模型及原子数据对结果的不确定性影响。图4a显示了使用eZAF对80%Al/20%Si样品的修正应用,其中已经考虑了MACC的改进。Si的A因子为0.2577,这意味着所有产生的X-射线约74%在样品材料中被吸收。图4b显示了原始测量数据所需的校正要少一个数量级。

a) Evaluation result with eZAF, Si-K absorption correction is within about 74%. b) Evaluation result with PeBaZAF, Si absorption correction is about 7.3%. This means the P/B based PeBaZAF correction requirement is one order of magnitude less.

Figure 4. a) Evaluation result with eZAF, Si-K absorption correction is within about 74%. b) Evaluation result with PeBaZAF, Si absorption correction is about 7.3%. This means the P/B based PeBaZAF correction requirement is one order of magnitude less.

 

这是PeBaZAF校正的一个重要性质和优点,其得益于已经讨论过的线性化P/B曲线原始测量信号 (见EDAX Insight杂志2021年9月号)。

 

修正的需求存在巨大差异。因此,如果要求良好的总体无标样定量精度,那么基于净计数的定量需要测量数据库就不足为奇了。仅基于基本物理参数的ZAF是不可能被应用的。由于模型的不确定性和参数不会影响相同程度的结果[4],基于PeBaZAF的P/B模型更容易实现。不需要考虑样品吸收,不同于具有巨大不确定性(Z≥11)的MACs,PeBaZAF需要更少的校正[5]。这是因为特征X-射线的产生,特别是吸收与在相同的X-射线能量下的轫致辐射相比,具有相似的作用。

 

这不需要MACC数据库。对于定量的进一步改进,eZAF是否有可以显著地降低校正需求,从而消除示例中需要的巨大吸收校正?

 

是的,可以的。我们需要检测标准样品,或者使用已经检测的标样库等。请参阅有关该主题最后的第三篇文章。 

参考文献

  1. Love F, Scott V D (1978Journal of Physics D 11, 1369
  2. Sewell D A, Love F, Scott V D (1987Journal of Physics D 20, 1567
  3. Heinrich K F J (1995) “An Evaluation of Quantitative Electron Probe Methods” in X-ray Spectrometry in Electron Beam Instruments, D B Williams, J I Goldstein, D E Newbury, Eds. (Plenum, New York) 305-367
  4. Eggert F (2018) “The P/B-Method, About 50 Years a Hidden Champion” Microscopy and Microanalysis 24, 734-735
  5. Eggert F (2019) “Complementary Standardless Quantitative Methods with EDS” Microscopy and Microanalysis 25, 560-561