通过能量过滤的 4D STEM 增强 NBED 应变测量

使用的 Gatan 设备

eaSI™ 是 Gatan 独有的技术，为高阶 STEM 实验带来高效和有效的工作流程。eaSI 利用 GIF Continuum^® 系统以及 STEMx^® 系统升级，带来能量过滤 4D STEM 研究的能力。

背景

在许多工程应用领域中，更好的理解材料在拉伸或压缩状态下的行为是极为重要的。例如在许多常规的硅器件中，通过应变工程来调节器件的电子性质，以适应不同应用。与此类似的，在金属中，理解并预测材料在变形下的行为也需要对应变进行测量。扫描透射电子显微镜（STEM）下的纳米束电子衍射（NBED）是测量应变分布的标准方法之一 [1, 2]。在此技术中，电子束探针在样品上进行二维（2D）阵列的扫描，并在每一个探针位置记录一张 2D 衍射花样，因此被称为 4D STEM。而后通过测量衍射盘相对于采集自样品无应变区域的参考花样的位置变化来计算应变量。NBED 应变分布的精度严重依赖于衍射盘位置测量的精确度。