利用能谱 （EDS） 为微电子行业开发更薄的扩散阻隔层

所用仪器

EDAX^® Octane Elect Plus EDS 系统

背景

在微电子工业中，铜由于其低电阻率，通常用于集成电路中的互连器件。然而，铜具有很强的扩散倾向，会严重降低器件性能。为了缓解这类问题，可以使用40-50 nm的氮化钛阻隔层来防止铜的扩散。然而，为了降低加工成本，制造商的目标是使用更具成本效益的方法开发改进的阻隔层。一个方案是低温沉积钛和氮化硅薄膜，随后退火形成氮化钛屏障。为了优化工艺开发，其中关键一步是需要表征层状结构，以确定前驱体材料是否形成氮化钛。这需要能够以 ~10 nm 的空间分辨率揭示元素分布，这在扫描电子显微镜 （SEM） 中可能是一个挑战，因为非弹性散射导致电子在块状样品中横向扩散，降低了空间分辨率。