利用剂量分割谱成像侦测微弱的芯损失信号

使用的 Gatan 设备

配备 Stela^®* 的 GIF Continuum^®

背景

过渡金属 (TM) 的 K-边能量损失近边精细结构 (ELNES) 可用于研究 TM 所处环境的局部对称性、配位和共价性[1]。由于 1s 芯能级空穴与 3d 或者 4p（边前）价电子的交互作用不强，因此对于 TM K-边的解读要比对应的 L-边更简单。但是，TM K-边的非弹性散射截面要比对应的 L-边小 3 个数量级。相应的，需要更长的采集时间，也增加了样品损伤和空间上漂移发生的可能性。利用原位谱成像 (SI) 采集，能够将每一帧 SI 单独保存，将总剂量分割为若干个帧。这种采集策略使得用户能够在采集完成后逐帧的检查样品状态，避免包含异常数据。