会聚角对应变测量精度的影响
Gatan instrument used
GIF Continuum® with Stela*® 和 STEMx® 系统, 利用 eaSI™ 技术将 STEM 探针与 Stela 的高帧速率同步, 以高速获取高质量的 4D STEM 数据集。
背景
应变工程通过有意引入拉伸或压缩应变来调整薄膜的功能特性。在最先进的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 中, 导电通道的宽度小于 20 nm, 因此, 以高空间分辨率测量诱导应变尤为重要。在使用 4D STEM 进行应变面扫分析时, 必须采用 Kossel-Möllenstedt 条件,即布拉格角 (θB) 需小于半会聚角 (α)。在本研究中, 我们展示了半会聚角 (α) 对应变测量的精度具有显著影响。